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中国初创企业朗道硅镭（Langdao Silex）于2026年10月16日首次公开展示了一台极紫外（EUV）光源原型机，输出功率达到15W，约90%的组件由中国本土供应商制造。据Tom's Hardware报道，这一进展标志着中国在高端光刻核心部件上的自主突破，但原型距离商用所需的250W以上功率仍有巨大差距，公司坦言“还需要数年时间”才能实现量产。
欧美娱乐原型参数与国产化率
| 指标 | 朗道硅镭原型 | 商用EUV光源（ASML） |
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| 输出功率 | 15W | 250W – 600W |
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| 国产组件占比 | 约90% | – |
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| 组件总数 | 约3,700个 | 数万个 |
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| 波长 | 13.5nm | 13.5nm |
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| 商用状态 | 原型，距商用数年 | 量产成熟 |
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该原型采用激光产生等离子体（LPP）技术路线，与ASML当前一代EUV光源一致。朗道硅镭表示，90%的组件由中国供应商提供，包括高功率激光器、光学系统和控制系统，但仍有部分核心光学器件依赖进口。公司计划在后续版本中进一步提升国产化率。
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与ASML的技术差距
荷兰ASML是全球唯一能生产商用EUV光刻机的企业，其光源供应商Cymer（现为ASML子公司）累计投入超过数十亿美元研发。ASML的EUV光源功率从第一代的250W逐步提升至目前的600W，支撑了5nm及以下工艺的量产。而朗道硅镭的15W原型仅能用于基础验证，无法驱动完整的光刻系统。行业分析师普遍认为，中国在EUV领域至少落后ASML十年。据路透社援引专家评论，功率和稳定性是EUV光源商用化的最大壁垒，中国团队仍需攻克等离子体稳定性、光学涂层寿命等关键难题。
日本明星美国禁令催生中国EUV自主研发
自2020年以来，美国连续升级对华芯片设备出口管制，禁止ASML向中国交付EUV光刻机，并限制关键零部件流通。中国半导体产业被迫走上“全栈自主”道路。朗道硅镭的创始人兼CEO在演示会上表示：“我们别无选择，只能自己造。美国的技术封锁反而加速了我们的研发进程。”该公司成立于2021年，最初仅有20人团队，现已扩充至500余人，累计融资超过8亿元人民币。据彭博社报道，中国国家集成电路产业投资基金也间接参与了部分融资。
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技术路线与工程挑战
朗道硅镭选择了与Cymer相同的LPP技术，但采用自研的高重复频率二氧化碳激光器作为驱动源。公司首席技术官透露，团队在光源腔体内实现了30kHz的脉冲频率，并通过自适应光学系统将等离子体位置的抖动控制在微米级。然而，15W的功率仅达到商用门槛的6%。更棘手的是，EUV光在真空中传播，多层钼/硅反射镜的反射率只有70%左右，功率每经过一次反射就大幅衰减。公司预计，要将输出功率提升至250W，至少需要将激光功率提高20倍，同时优化靶材喷射和收集效率。
行业专家评价
“这是一项令人印象深刻的工程成就，但请记住，15W与250W之间的差距不是线性的。”美国半导体研究机构VLSI Research的分析师表示。另一位来自欧洲的光刻技术专家指出：“中国公司在短短数年之内造出原型，证明其研发速度很快，但EUV系统涉及数十万个元件的协同工作，任何一处失效都会导致整个系统停机。”朗道硅镭的测试报告显示，当前原型的连续稳定工作时间仅为数十分钟，远未达到工业级每月数千小时的要求。公司承认，将在未来3–5年内聚焦功率爬坡和可靠性提升。
商用前景与时间表
朗道硅镭计划在2028年前推出第二代原型，目标功率提升至100W以上，并开始与国内光刻机系统集成商对接。但公司明确表示，不会在短期内展示完整的EUV光刻机。中国半导体行业协会秘书长在采访中称：“EUV光源只是光刻机的心脏，血液（光刻胶）、骨骼（工件台）和神经网络（控制系统）同样需要突破。”按照最乐观估计，中国国产EUV光刻机可能要到2030年以后才能进入产线验证。
FAQ
Q1: 中国EUV光源原型15W意味着什么？
A1: 15W代表中国首次在极紫外光刻核心部件上取得从0到1的突破，证明了LPP技术路线的可行性。但与ASML商用光源250–600W的功率相比，仍处于实验室验证阶段，无法支撑芯片量产。
Q2: 中国何时能制造出自己的EUV光刻机？
A2: 目前尚无明确时间表。朗道硅镭的光源原型是第一步，后续还需攻克高功率光源、高精度工件台、光刻胶等数十个子系统。行业普遍预计中国国产EUV光刻机可能出现在2030年之后，且初期良率较低。
尽管中国EUV光源原型功率仅15W，但它标志着中国在自主半导体制造道路上迈出了实质性的一步。技术突破与商业成熟之间仍有漫长距离，然而在美国持续收紧出口管制的背景下，这种自主探索的意义已远超技术本身，它正在重塑全球光刻产业的竞争格局。
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中国初创朗道硅镭展示极紫外光刻光源原型，输出15W，90%国产组件。该突破显示中国芯片自主进程，但距商用仍有数年。了解中国EUV光源进展及对半导体产业的影响。
